Precyzyjna diagnostyka ultraszybkich impulsów z lasera na swobodnych elektronach

4 marca 2021

Pomiary zmian parametrów optycznych w półprzewodnikach, wywołanych naświetlaniem promieniowaniem X, znalazły zastosowanie w diagnostyce ultraszybkich impulsów z lasera na swobodnych elektronach, pozwalając osiągać rozdzielczości rzędu i poniżej 10 femtosekund. Jednak dodatkowe procesy transportu i rekombinacji elektronów i dziur wytworzonych w materiale przez jonizujące promieniowanie X, zaburzają ten pomiar i mogą znacząco obniżyć jego dokładność. Międzynarodowa kolaboracja badawcza, z udziałem naukowców z IFJ PAN, przeprowadziła badania eksperymentalne i teoretyczne tych niepożądanych procesów i oszacowała ilościowo ich wkład. Dzięki temu, kontrolując te procesy w przyszłych zastosowaniach, będzie można uzyskiwać bardzo wysokie rozdzielczości czasowe w diagnostyce impulsów z lasera FEL, w szczególnosci w diagnostyce z zastosowaniem materiałów półprzewodnikowych.

Publikacje naukowe:

„Effect of Auger recombination on transient optical properties in XUV and soft X-ray irradiated silicon nitride”
V. Tkachenko et al.;
Scientific Reports (2021)